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本实用新型公开了一种具有边带抑制功能的电流复用低噪声放大器,属于射频集成电路技术领域。该放大器包含的电流复用放大单元具有低功耗的特点,边带抑制功能由连接在晶体管栅极、反馈支路和输出支路的陷波器实现,多陷波器设计一方面可以提升低噪声放大器的边...该专利属于中国电子科技集团公司第五十四研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国电子科技集团公司第五十四研究所授权不得商用。
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本实用新型公开了一种具有边带抑制功能的电流复用低噪声放大器,属于射频集成电路技术领域。该放大器包含的电流复用放大单元具有低功耗的特点,边带抑制功能由连接在晶体管栅极、反馈支路和输出支路的陷波器实现,多陷波器设计一方面可以提升低噪声放大器的边...