温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种制造用于射频应用的绝缘体上半导体结构的接收方衬底(30)的方法，方法包括以下步骤：‑提供半导体衬底，所述半导体衬底包括由单晶材料制成的基底衬底(1)和设置在所述基底衬底(1)上的由多晶硅制成的电荷俘获层(2)，‑对所述电荷俘获...
该专利属于索泰克公司所有，仅供学习研究参考，未经过索泰克公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。