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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成底部铁磁结构；在所述底部铁磁结构上形成缓冲材料层和非磁绝缘层；在所述非磁绝缘层上形成顶部铁磁结构。本发明实施例所提供的半导体结构的形成方法中，底部铁磁结构和顶部铁磁结构的材...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。