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本发明提供了一种倍频单片、GaN太赫兹二极管及其制备方法，属于半导体器件技术领域，GaN太赫兹二极管包括N面上外延生长有氮化铝中间层的外延GaN层、外延生长于氮化铝中间层上的金刚石衬底层、依次外延生长于外延GaN层的Ga面上的高掺杂N型Ga...
该专利属于中国电子科技集团公司第十三研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十三研究所授权不得商用。

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