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本发明提供的是一种用于硅薄膜电池表面的高深宽比陷光结构制备方法。其特征是：利用负光刻板，在玻璃基片表面高深宽凹坑阵列结构的工艺流程为：(a)溅射金属种子层、旋涂光刻胶；(b)光刻、显影；(c)电镀镍金属(Ni)；(d)去胶；(e)刻蚀种子层...
该专利属于桂林电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过桂林电子科技大学授权不得商用。

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