下载原位合成法制备4H碳化硅电子材料的工艺的技术资料

文档序号:28859990

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本发明公开了一种原位合成法制备4H碳化硅电子材料的工艺,包括①选取化学纯度≥99.9%,粒度≤5μm的4H碳化硅高温提纯,经研磨得到碳化硅种料;选取化学纯度≥99.99%,粒度≤1μm的碳粉,以及化学纯度≥99.99%,粒度≤1μm的二氧化...
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