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本申请涉及一种半导体开关元件，其包括：第一竖向晶体管器件，形成在衬底中，具有形成在衬底的第一侧上的源极区和形成在衬底的与第一侧在竖向上相对的第二侧上的漏极区；第二竖向晶体管器件，在同一衬底中横向形成在第一竖向晶体管器件旁边，具有形成在衬底的...
该专利属于英飞凌科技奥地利有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英飞凌科技奥地利有限公司授权不得商用。

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