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本发明涉及一种环形MIS栅增强型AlGaN沟道异质结功率器件及其制备方法，该功率器件包括：衬底；源区部分，设置在衬底上的一侧；漏区部分，设置在衬底上的另一侧，且与源区部分相对设置；若干纳米沟道，间隔设置在源区部分与漏区部分之间，且悬空设置在...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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