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一种光电阴极及其制备方法与应用技术
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文档序号:28844107
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本发明公开了一种光电阴极及其制备方法与应用,该光电阴极包括衬底层和在衬底层表面刻蚀形成的纳米柱阵列;所述纳米柱阵列表面有量子点和金属纳米颗粒。有效接收了来自不同入射方向的光,量子点增加了吸光面积,阵列化光陷阱增强了光吸收;在径向可提供给光电...
该专利属于中山德华芯片技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中山德华芯片技术有限公司授权不得商用。
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