下载一种光电阴极及其制备方法与应用的技术资料

文档序号:28844107

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种光电阴极及其制备方法与应用,该光电阴极包括衬底层和在衬底层表面刻蚀形成的纳米柱阵列;所述纳米柱阵列表面有量子点和金属纳米颗粒。有效接收了来自不同入射方向的光,量子点增加了吸光面积,阵列化光陷阱增强了光吸收;在径向可提供给光电...
该专利属于中山德华芯片技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中山德华芯片技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。