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本实用新型提供了可拾取及测试的微器件,通过:在所述沟槽表面设有第一牺牲层,各所述测试电极于所述沟槽对应的第一牺牲层上方间隔分布,且远离所述LED芯粒而设置;还包括与所述测试电极呈交叉分布的若干个金属桥,所述金属桥用于串联相邻两个LED芯粒的...该专利属于厦门乾照半导体科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过厦门乾照半导体科技有限公司授权不得商用。
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本实用新型提供了可拾取及测试的微器件,通过:在所述沟槽表面设有第一牺牲层,各所述测试电极于所述沟槽对应的第一牺牲层上方间隔分布,且远离所述LED芯粒而设置;还包括与所述测试电极呈交叉分布的若干个金属桥,所述金属桥用于串联相邻两个LED芯粒的...