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本发明涉及超级电容器技术领域，且公开了一种纳米花状Co3O4修饰N,P掺杂多孔碳超级电容器，四氧化三钴优良的比容量能够提高基体的比容量，避免了碳材料电极的比容量低的问题，纳米花结构和多孔碳材料均具有大的比表面积和丰富的孔道结构，为电子和离子...
该专利属于益诺鑫电气（深圳）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过益诺鑫电气（深圳）有限公司授权不得商用。

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