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本发明公开一种P型单晶钝化接触IBC太阳能电池的制备方法，包括：选取P型单晶硅片；在硅片背面通过选择性沉积先后制备图形化的隧穿钝化层和n型多晶硅掺杂层，形成具有叉指状排布的n型多晶硅掺杂层和P型基体硅层的电池片，该P型基体硅层即为硅片背面未...该专利属于天津爱旭太阳能科技有限公司广东爱旭科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天津爱旭太阳能科技有限公司广东爱旭科技有限公司授权不得商用。