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本发明公开了一种一维硒化镉半导体纳米线的制备方法，包括：在衬底上沉积一金属催化剂薄膜；在保护气存在下，均匀混合硫化镉和硒化镉；将沉积催化剂薄膜的衬底和混合的硫化镉与硒化镉进行加温，通过化学气相沉积方法得到纳米线。采用化学气相沉积的方法能够大...该专利属于中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心所有，仅供学习研究参考，未经过中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心授权不得商用。