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本发明提供一种双面掺硼金刚石薄膜电极的制备方法,包括基体预处理、植晶、双面掺硼金刚石薄膜沉积,沉积步骤包括将基体卡设于热丝化学气相沉积装置的基台中,调整基台位于热丝化学气相沉积装置的由通过支撑装置支撑的多根相互平行的热丝组成的上下两组热丝组...该专利属于中材人工晶体研究院(山东)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中材人工晶体研究院(山东)有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种双面掺硼金刚石薄膜电极的制备方法,包括基体预处理、植晶、双面掺硼金刚石薄膜沉积,沉积步骤包括将基体卡设于热丝化学气相沉积装置的基台中,调整基台位于热丝化学气相沉积装置的由通过支撑装置支撑的多根相互平行的热丝组成的上下两组热丝组...