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本发明公开了一种硅通孔的制造方法，包括：步骤一、在半导体衬底上形成多个硅通孔开口；步骤二、在各硅通孔开口的底部表面形成第一材料层；步骤三、在各硅通孔开口中填充金属材料层；步骤四、对半导体衬底进行背面减薄直至各硅通孔开口中第一材料层的底部表面...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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