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本实用新型涉及一种应用于电子终端产品的电容式MEMS压力传感器，由若干电容单元阵列形成，所述电容单元包括由下至上依次设置的基底、在基底上重掺杂形成的下极板、氧化硅层、以及采用CMOS薄膜形成的上极板；所述氧化硅层作为牺牲层，形成上极板与下极...
该专利属于路溱微电子技术（苏州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过路溱微电子技术（苏州）有限公司授权不得商用。

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