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本发明提供了一种MIM电容器及其制造方法，应用于半导体技术领域。在本发明提供了一种MIM电容的制造方法，通过将现有技术中MIM电容的介质层由一层结构分成两层结构(第一介电层和第二介电层)，从而在对第二金属层和第二介电层进行刻蚀工艺形成MIM...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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