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本实用新型公开了石墨盘翻转式GaN单晶衬底激光预剥离集成腔，采用包含相变材料的保温托盘实现石墨圆盘的保温，在一定时间内可使保温托盘维700℃以上高温，将显著降低GaN单晶衬底片因温度突变或温度过低导致生长质量问题的概率，提高GaN单晶生长质...
该专利属于中国工程物理研究院总体工程研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国工程物理研究院总体工程研究所授权不得商用。

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