温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明的一种多场调控忆阻器及其制备方法，多场调控忆阻器，为三层结构的RRAM，包括顶部电极、介电材料、底部电极、基底；顶部电极与底部电极具有不对称性，以金属作顶部电极，以MXene‑ZnO异质结材料作为介电材料，以氧化铟锡作底部电极，以玻璃...该专利属于北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院)所有，仅供学习研究参考，未经过北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院)授权不得商用。