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本发明提供了一种正离子掺杂工艺提高半导体器件击穿电压的结构及其制备方法，结构包括衬底，所述衬底上设有外延层，所述外延层包括由下至上设置的成核层、第一材料层、沟道层以及势垒层；所述势垒层上方设有源极和漏极，所述源极和漏极之间设有栅极；其中，所...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十五研究所授权不得商用。

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