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本发明提供了一种提高氮化镓HEMT功率器件击穿电压的结构及其制备方法，结构包括衬底、外延层、源极、漏极以及栅极；所述外延层位于所述衬底上方，包括由下至上设置的成核层、第一材料层、沟道层以及势垒层；所述沟道层内具有二维电子气，所述势垒层内具有...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十五研究所授权不得商用。

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