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本发明公开一种GO掺杂PQ‑PMMA光致聚合物全息存储材料及其制备方法和全息光盘，所述GO掺杂PQ‑PMMA光致聚合物全息存储材料，其各组分原料的重量比为：MMA：100wt％，AIBN：0.7‑1wt％，PQ：1‑1.3wt％，GO：0....
该专利属于福建师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过福建师范大学授权不得商用。

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