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本发明属于半导体技术领域，特别是涉及一种垂直结构深紫外LED芯片及其制造方法。所述芯片从下至上依次包括P电极、导电基板、第二焊接层、第一焊接层、P型欧姆接触层、P型AlGaN层、AlGaN多量子阱层、N型AlGaN层和N电极，其特征在于：在...
该专利属于江苏大学所有，仅供学习研究参考，未经过江苏大学授权不得商用。

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