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本发明涉及一种低栅漏电荷的沟槽型功率半导体器件及其制备方法。其在元胞沟槽槽底的正下方设置非晶化区，所述非晶化区通过控制氢注入方法，将元胞沟槽底部的晶面取向相同的晶粒单晶硅轰击成晶面取向不同的非晶化状态，其晶体材料由于晶格损伤密度太大而发生非...
该专利属于江苏东海半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏东海半导体科技有限公司授权不得商用。

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