温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
一种半导体结构的形成方法、晶体管，形成方法包括：提供基底，基底包括图形稀疏区和图形密集区，基底包括衬底、多个分立于衬底上的鳍部以及位于鳍部上的掩膜层；形成露出部分厚度的掩膜层的隔离材料层；形成隔离材料层后，去除掩膜层；去除掩膜层后，对隔离材...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。