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本发明提供一种沟槽型场效应晶体管结构及制备方法，制备方法包括：提供衬底，形成外延层，在外延层中形成器件沟槽，形成屏蔽介质层、屏蔽栅层、第一隔离介质层、栅介质层、栅极层、第二隔离介质层、体区、源极、源极接触孔、源极电极结构以及漏极电极结构。本...
该专利属于华润微电子(重庆)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华润微电子(重庆)有限公司授权不得商用。

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