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本申请属于半导体技术领域，具体地涉及一种半导体器件刻蚀方法。所述刻蚀方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有刻蚀停止层和位于所述刻蚀停止层上的介质层，所述介质层中形成有经刻蚀工艺形成的通孔，所述通孔结构表面包括所述刻蚀工艺中残留的含氟基团；使用...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。