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本发明提供了一种氧离子注入构建薄膜传感器渐变过渡结构的制备方法；该方法为对薄膜过渡层材料进行氧离子注入，最终形成由下往上依次为过渡层材料、富Al层、渐变过渡层和热氧化层的渐变过渡结构。本发明采用氧离子注入构建渐变过渡结构，实现由金属相到陶瓷...
该专利属于中北大学所有，仅供学习研究参考，未经过中北大学授权不得商用。

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