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提出了一种单光子雪崩二极管(SPAD)器件。该SPAD器件包括：基于Si的雪崩层，其形成在n型半导体接触层上；p型电荷片层，其形成在雪崩层中或雪崩层上，该p型电荷片层具有面内宽度；基于Ge的吸收体层，其形成在电荷片层和/或雪崩层上并与电荷片...该专利属于格拉斯哥大学大学行政评议会;赫瑞—瓦特大学所有，仅供学习研究参考，未经过格拉斯哥大学大学行政评议会;赫瑞—瓦特大学授权不得商用。