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公开了相变存储器(PCM)单元和用于形成PCM单元的方法。在一个示例中，存储单元包括第一电极层、选择器件、中间电极层、相变材料和第二电极层。在第一电极层上形成选择器件，并且在选择器件上形成中间电极层。在中间电极层上形成相变材料，并且在相变材...
该专利属于长江先进存储产业创新中心有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江先进存储产业创新中心有限责任公司授权不得商用。

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