温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

提供了相变存储器单元结构及其制造方法。在一个示例中，存储器单元包括第一电极层、形成在第一电极层上的选择器件、形成在选择器件上的第一金属层、形成在第一金属层上的中间电极层、形成在中间电极层上的相变材料、以及形成在相变材料上的第二电极层。中间电...
该专利属于长江先进存储产业创新中心有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江先进存储产业创新中心有限责任公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。