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SiC-CVD无氯外延含低浓度硅烷/C2+尾气FTrPSA提氢与循环再利用方法技术
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文档序号:28542166
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本发明公开了SiC‑CVD无氯外延含低浓度硅烷与C2+尾气FTrPSA提氢与循环再利用方法,通过预处理、中温变压吸附除杂、吸附净化、变压吸附提氢、氢气纯化及中浅冷油吸收工序,将来自无氯SiC‑CVD外延制程中产生的含低浓度硅烷与C2+尾气的...
该专利属于四川天采科技有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过四川天采科技有限责任公司授权不得商用。
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