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一种互连结构及其形成方法，方法包括：在介质层的第一区域内形成第一沟槽，在介质层的第二区域内形成第二沟槽，第一沟槽的宽度小于第二沟槽的宽度；在第一沟槽的侧壁和所述第二沟槽的侧壁形成阻挡层，阻挡层的顶面低于介质层的顶面；之后对第一沟槽侧部和第二...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。