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本发明涉及一种绝缘栅双极型晶体管器件及其制造方法，该方法包括：获取衬底，所述衬底上形成有漂移区、栅极区、缓冲区、场氧层；去除所述漂移区上方位于栅极区与缓冲区之间区域的场氧层后形成第一沟槽，所述第一沟槽的一端与栅极区相邻；在所述衬底上形成具有...
该专利属于东南大学;无锡华润上华科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学;无锡华润上华科技有限公司授权不得商用。

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