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本发明提供了一种N型碳化硅晶体的制备方法及生长装置，该方法包括:(1)将原料放置坩埚的高温区，籽晶放置在坩埚的低温区，所述坩埚的顶部外壁向内凹陷形成环形气槽；将组装好的坩埚置于长晶炉的炉体内，使得环形气槽靠近所述炉体的通气孔处；(2)长晶阶...
该专利属于山东天岳先进科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东天岳先进科技股份有限公司授权不得商用。

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