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本发明提供一种反极性红光LED芯片及其封装方法，该LED芯片以Si衬底为基础，由下而上依次为第二金属键合层、第一金属键合层、镜面层、SiO2导电孔层、第十一外延层、第十外延层、第九外延层、第八外延层、第七外延层、第六外延层、第五外延层、第四...
该专利属于南昌凯迅光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南昌凯迅光电有限公司授权不得商用。

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