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本发明公开了一种基于GaN HEMT器件的自激驱动与功率变换电路。该电路采用了新型的GaN基HEMT器件，提高电路工作频率至MHz。器件采用了硅衬底，并采用了Q1和Q2双晶体管片上设计，两个晶体管共用一个晶圆，减小体积、降低成本、提升可靠性...
该专利属于扬州江新电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过扬州江新电子有限公司授权不得商用。

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