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神经形态电路(500)包括交叉开关突触阵列单元。所述交叉开关突触阵列单元包括互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管(T6)，所述CMOS晶体管(T6)的导通电阻由所述CMOS晶体管(T6)的栅极电压控制，以更新所述交叉开关突触阵列单元的权重...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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