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一种半导体器件的制造方法，包括：形成掩模叠层、中间层、第一缓冲层、多个第一线性伪特征及其上的第一衬层；去除第一衬层的横向部分来形成多对第一线性图案；在第一线性图案之间填充旋涂硬掩模层，并沉积第二缓冲层；形成多个第二线性伪特征及其上的第二衬层...
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