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本发明公开了一种可应用于室温高湿环境下的纳米硅传感器及其制备方法，采用金属辅助化学刻蚀法制备垂直排列的光滑硅纳米线阵列并去除Ag颗粒，然后在硅纳米线阵列表面涂覆AgNO...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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