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本申请涉及一种肖特基二极管，包括壳体和本体，本体包括：重掺杂N型SiC衬底；轻掺杂N型SiC层，其生长在重掺杂N型SiC衬底上；重掺杂P型环区，其形成于轻掺杂N型SiC层上；轻掺杂P型环区，其形成于重掺杂P型环区内；介质保护层，其沉积在轻掺...
该专利属于苏州高新区华成电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州高新区华成电子有限公司授权不得商用。

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