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本发明公开一种浸没式散热的高频传输结构,包括堆叠的第一晶圆及第二晶圆,其中,第一晶圆上台阶型的第一腔体与第二晶圆上的第二腔体形成深腔结构,深腔结构的表面设置有金属层,内部填充非导电液态媒质,形成传输波导或滤波器,芯片的部分表面贴装于深腔结构...该专利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过华进半导体封装先导技术研发中心有限公司授权不得商用。
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本发明公开一种浸没式散热的高频传输结构,包括堆叠的第一晶圆及第二晶圆,其中,第一晶圆上台阶型的第一腔体与第二晶圆上的第二腔体形成深腔结构,深腔结构的表面设置有金属层,内部填充非导电液态媒质,形成传输波导或滤波器,芯片的部分表面贴装于深腔结构...