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一种碳化硅晶体生长余料处理再利用方法技术
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文档序号:28314514
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本申请公开了一种碳化硅晶体生长余料处理再利用方法。使用碳化硅晶体生长余料作为主要的原材料,因此可以有效的降低成本。过程中通过碳化硅余料的破碎筛分等处理,得到适用于原料合成的粉末余料,然后使用稀硫酸清洗减少杂质,通过将余料氧化计算其中的残留碳...
该专利属于国宏中宇科技发展有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过国宏中宇科技发展有限公司授权不得商用。
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