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本公开描述了一种氧化镁密封腔的制备方法，其包括：准备工序，准备第一氧化镁晶片和第二氧化镁晶片；图案化工序，对第一氧化镁晶片的掩膜层进行光刻形成预定的图案；刻蚀工序，使用磷酸溶液对第一氧化镁晶片进行湿法刻蚀，并去除掩膜层；以及键合工序，对刻蚀...
该专利属于中北大学所有，仅供学习研究参考，未经过中北大学授权不得商用。

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