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一种阻变存储器及其制备方法，该方法包括在CMOS后段工艺的第一金属层表面淀积第一介质层并平坦化；在第一介质层中制备阻变存储器单元的下电极并平坦化；在第一介质层和下电极表面依次淀积氧化物阻变层和上电极层，图形化上电极层制备上电极和图形化氧化物...该专利属于上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。