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本发明涉及铁电调控人工反铁磁自由层的自旋转移矩磁随机存储器。一种自旋转移矩磁随机存储器可包括多个存储单元，每个存储单元可包括：固定磁层；形成在所述固定磁层上的间隔层；形成在所述间隔层上的具有人工反铁磁结构的自由磁层，所述自由磁层包括：形成在...
该专利属于西安交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安交通大学授权不得商用。

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