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本申请提供一种磁性隧道结结构及磁性随机存储器，所述磁性隧道结结构包括氧化镁中内含亚原子层所形成的势垒层。本申请通过氧化镁中内含亚原子层的设计，在不降低势垒层的厚度的条件下，降低了电阻面积积的同时保持稳定且足够的隧穿磁阻率，非常有利于MRAM...
该专利属于上海磁宇信息科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海磁宇信息科技有限公司授权不得商用。

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