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本申请提供一种磁性隧道结结构及其磁性存储器，所述磁性隧道结结构包括含掺杂导电材料的镁金属氧化物层形成的势垒层。本申请通过势垒层的掺杂或更进一步的复合设计，在不降低其的厚度的条件下，降低了电阻面积积的同时保持稳定且足够的隧穿磁阻率，非常有利于...
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