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本发明提供一种复合衬底、制备方法及半导体器件，所述复合衬底包括：基底，所述基底上表面靠近中间位置形成一凹槽；SiO...
该专利属于至芯半导体(杭州)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过至芯半导体(杭州)有限公司授权不得商用。

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