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本发明提供了一种硅衬底GaN基LED及其制备方法，其中，硅衬底GaN基LED从下至上依次包括：硅衬底、多层位错过滤缓冲层、UGaN层、NGaN电流扩展层、有源区应力释放层、多量子阱发光层、电子阻挡层、P型GaN电流扩展层及P型欧姆接触层，其...
该专利属于晶能光电(江西)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晶能光电(江西)有限公司授权不得商用。

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